隨著 ADAS 市場滲透率快速提升，核心零部件的毫米波雷達市場需求也進入快速上升通道。在L1-L3級自動駕駛中，毫米波雷達被用于目標偵測和目標分離，從而實現各種ADAS主動安全應用，在L4-L5級自動駕駛系統中搭載毫米波雷達成像技術。隨著自動駕駛等級的提高和多種主動安全應用的搭載，長距（LRR）、中距（MRR）、短距（SRR）車用毫米波雷達的裝配數量會大幅提升，并最終實現360度全覆蓋化。相比于國外企業，車載毫米波雷達在國內仍處于起步階段，民用的毫米波雷達追求系統的小型化和低成本。90 年代,77GHz 毫米波雷達采用的還是砷化鎵 (GaAs) 的工藝，一個毫米波雷達中，配7-8顆以上的前端射頻芯片，再配上3-4顆基帶芯片，成本非常昂貴；2000 年初，鍺硅 (SiGe) 工藝快速發展，同時也得益于集成度的提高，毫米波雷達成本不斷下探,但依舊不夠親民；由于技術水平提高、應用場景拓展，需求量的激增又降低了產品成本，最終將 CMOS 工藝的毫米波雷達芯片推上了歷史舞臺。